快讯

高压、高功率、高可靠电力电子系统开发：少不了的被动元件“三件套”在电子电路设计中，电容器、电感器、电阻器、滤波器等被动元件，虽然不像核心半导体器件那样“自带主角光环”，但也是不可或缺的重要角色。

SEMI报告：预测300mm存储设备投资2026年将突破500亿美元2026年全球300mm晶圆厂存储领域设备投资预计首次突破500亿美元，增长29%至520亿美元，2027年再增11%至570亿美元。

南芯科技发布面向算力芯片供电的多相DrMOS电源方案南芯科技 CPU/GPU 高效供电解决方案 (SD13050 + SD22442) 支持 5V-16V 输入总线及双电压轨输出，每路相数灵活可配，可适配不同功率等级的设计需求

东芝推出采用最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提升AI数据中心的效率TPM1R408RH采用优化的器件结构，实现了1.4mΩ（最大值）的漏源导通电阻，与采用上一代U-MOS X-H工艺制造的东芝80V产品“TPM1R908QM”相比降低约26%

圣邦微电子推出14A（33A峰值）同步降压转换器SGM612A122，精准适配Intel VNNAON RailSGM612A122以效率驱动为核心设计理念，通过低RDSON功率器件与高速栅极驱动技术协同，在VIN = 12V、VOUT = 0.77V、fSW = 800kHz的典型条件下，峰值效率可达84%

Murata推出面向工业设备的高精度6DoF惯性传感器可在−40～+110 °C的温度范围内稳定运行，具备较小的振动整流误差（VRE）与低噪声特性，实现高精度测量。

纳芯微 NSD2123 发布：110V 半桥 GaN 驱动，破解自举过充与负压振荡两大痛点纳芯微全新推出110V半桥GaN驱动芯片NSD2123，具备智能自举充电控制、桥臂中点耐负压和抗干扰能力强、内置有源米勒钳位等特点

ROHM开发出实现业界超低损耗的650V耐压IGBT新产品非常适用于车载电动压缩机、HV加热器以及工业设备用变频器等应用。

思特威 SC832HAI 登场：4K 安防 CIS，红外感光能力翻倍升级SC832HAI具备高感度、近红外感度增强、高动态范围等优势，并支持全时录像（AOV），可从容应对复杂光照环境，保障昼夜全天候的高质量清晰成像。

量身定制、技术突破、场景落地，村田三招打造医疗级MLCC村田制作所凭借深厚技术积淀，推出专为植入式医疗设备设计的GCH/GCR系列MLCC，为医疗设备制造商提供高可靠性电子元件解决方案——毫厘之间，守护植入式医疗生命线

SGM3810 全新发布：单电感双输出，一站式解决移动屏背光与偏压需求该器件支持0.2%的最低占空比和高达93.2%的最大升压占空比，可应用于智能手机、平板电脑等设备的显示屏电源管理。

ROHM开发出超小安装面积的升降压电源电路板“BD83070GWL”是一款升降压DC-DC转换器IC，其开发目标是成为通过小型电池等供电的电子设备的“低功耗环保器件的标杆”，实现了高达97%的效率和2.8μA的超低静态电流。

Littelfuse推出超低功耗全极TMR开关传感器TX00AS314TRA可实现高灵敏度磁场感应，电流消耗为1.5 μA，适用于持续运行的电池供电设计

ST发布VIPerGaN 100W转换器，主攻注重能效的家电市场两款转换器均兼容85V~265V全球通用交流输入电压，在185V输入电压以上时稳定输出100W。

AI服务器电源中的隔离电源：分立式与集成式如何选择？随着服务器功耗提升和供电架构复杂化，电源系统需要在安全性、效率和可靠性方面满足更高要求。隔离电源为服务器系统在高电压、大电流和复杂电磁环境下提供隔离供电，保障系统稳定运行。

美芯晟推出全集成 Qi2.2 无线充电发射芯片MT5808该芯片全面兼容WPC Qi2.2标准，支持BPP、EPP及MPP协议，同时支持客户私有协议定制，最高支持30W功率输出，充电效率可达85%以上，专为追求高性能与高集成度的无线充电应用而设计

芯联集成 3300V SiC MOSFET 落地！固态变压器降本最高 35%3300V 方案可实现系统级BOM成本降低20%~35%，为固态变压器向更高开关频率、更小体积和更高转换效率演进提供核心器件支撑

SK海力士开始供应下一代面向AI的存储器“HBM4E”12层堆叠样品新产品较上一代HBM4，性能和能效均取得了跨越式升级。其引脚速率最高可达16Gbps，并将能效提高20%以上，显著提升了AI训练和推理所必需的数据处理能力

纳芯微推出面向RS485通信隔离的三通道数字隔离器SP301H/L系列SP301H/L支持最高8Mbps通信速率，采用低静态功耗设计，并进一步优化电磁抗扰性能；小巧紧凑的SSOW10密脚宽体封装，在提升集成度的同时有效节省PCB空间