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【科普小贴士】半导体器件的类型

使用半导体的电子部件称为半导体器件。随着应用领域的扩大和电子设备的发展，各种半导体器件得到了不断开发。“分立半导体”是指具有单一功能的单个器件，比如晶体管和二极管。“集成电路（IC）”是指在一个芯片上安装有多个功能元件的器件。典型IC包括存储器、微处理器（MPU）和逻辑IC。LSI则提高了IC的集成度。按一般功能／结构，具体分类如下所示。

2021-09-24 |

作者：Steven Keeping 来源：得捷电子DigiKey 对于要实现电池供电或分布式电源系统的设计人员来说，使用低压降 (LDO)稳压器还是开关稳压器往往是个问题。开关稳压器的效率相对更高，可谓是一项优势，尤其是对于电池供电产品。然而，电源中快速开关晶体管产生的EMI才是关键权衡要素——在高度集成的紧凑型设计中，EMI可能会衍生成更严重的问题。输入和输出滤波电路可减轻EMI的影响，... 阅读详情

2021-09-23 |

MEMS振荡器与传统振荡器的比较

作者：工程师 Barley Li,文章来源：Digi-Key 在市场上，你会发现，有些振荡器是MEMS类型，而有些则不是。他们之间有什么区别呢？传统振荡器依靠石英晶体来提供稳定的基准频率。MEMS（微机电系统）振荡器具有复杂的结构，采用MEMS谐振器代替石英晶体作为振荡源。MEMS振荡器可通过其内部PLL电路来提供所需的频率。与传统振荡器相比，MEMS振荡器的频率、尺寸、可靠性（... 阅读详情

2021-09-18 |

运算放大器的负反馈系统及其效果

负反馈系统运算放大器是具有高电压增益的放大器，但几乎不是运算放大器单体进行放大。原因是开环增益存在偏差，或带宽较窄，难以控制放大率。因此，一般构成负反馈电路后使用。下图表示负反馈系统的模型。构成负反馈电路可举出以下几个优点。 [构成负反馈电路的优点] 1. 放大电路的增益固定的领域（带宽）可得到扩展 2. 由于构成了负反馈电路，使运算放大器的开环增益的偏差影响变小 3. 可抑制失真... 阅读详情

2021-09-18 |

【科普小贴士】什么是pn结?

p型和n型半导体之间的接触面即称为PN结。 p型和n型半导体键合时，作为载流子的空穴和自由电子相互吸引、束缚并在边界附近消失。由于在这个区域没有载流子，所以它被称为耗尽层，与绝缘体的状态相同。在这种状态下，将“＋”极连接到p型区，将“-”极连接到n型区，并施加电压使得电子从n型区顺序流动到p型区。电子首先会与空穴结合而消失，但多余的电子会移动到“＋”极，这样就产生了电流流动。

2021-09-18 |

运算放大器的转换速率SR (Slew Rate)

转换速率是表示运算放大器的工作速度的参数。表示输出电压在规定的单位时间可变化的比例。例如，1[V/µs]表示在1[µs]内可使电压发生1[V]的波动。理想运算放大器可忠实地输出任何输入信号对应的输出信号，但实际上还存在一种叫做转换速率的限制。给输入施加上升沿和下降沿比较陡峭的矩形波脉冲时，表示输出电压在单位时间内可发生什么程度的变化。下图表示转换速率的定义。转换速率测量电路和波形图... 阅读详情

2021-09-17 |

【科普小贴士】什么是化合物半导体？

除了硅，还有结合了第III组和第V组元素以及第II组和第VI组元素的化合物半导体。例如，GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟）、InGaAlP（磷化铝镓铟）等通常用于高频器件和光学器件。近年来，InGaN（氮化铟镓）作为蓝光LED和激光二极管的材料引起了人们的广泛关注，SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）作为功率半导体材料也得到了一定程度上的关注和商业化。典型的化合物半导体第Ⅱ-Ⅵ组：ZnSe... 阅读详情

2021-09-17 |

直流二倍压电路的原理详解

说明：要理解倍压电路，首先要将充电后的电容看作一个电源。可以和供电电源串联，就像普通的电池串联的原理一样。直流半波整流电压电路1）负半周时，即A为负、B为正时，D1导通、D2截止电源经D1向电容器C1充电，在理想情况下，此半周内D1可看成短路，同时电容器C1充电到Vm，其电流路及电容器C1的极性如上图（a）所示。（2）正半周时，即A为正、B为负时，D1截止、D2通，... 阅读详情

2021-09-17 |

为何设计可靠电源时应考虑真实电压源

实际使用中，电源的来源从来都不理想。构建可靠的电力系统需要考虑包括寄生在内的实际行为。在使用电源时，我们要确保开关稳压器等DC-DC转换器能够承受一定的输入电压范围，并能以足够的电流产生所需的输出电压。输入电压经常指定为一个范围，因为通常无法精确调节。但是，为了使电源可靠地工作，输入电压必须始终在开关稳压器允许的范围内。例如，12 V电源电压的典型输入电压范围为8 V至16 V。... 阅读详情

2021-09-17 |

你的MOSFET为什么发热那么严重？

在开关电源电路中，MOSFET作为最核心的器件，却也是最容易发热烧毁的，那么MOSFET到底承受了什么导致发热呢？本文来带你具体分析。 MOSFET工作原理什么是MOSFET？MOSFET是全称为Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金属氧化物半导体场效应晶体管的半导体。它可分为NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型，... 阅读详情

2021-09-16 |

SiC SBD的高耐压（反压）特性

碳化硅（SiC）是一种宽带隙半导体，其带隙宽度为3.26eV，远高于硅（Si）的带隙宽度（=1.12eV）。SiC具有较高的击穿电场和较高的热导率，这是由于它具有较低的晶格常数（即较短的原子间距离）从而具有较高的原子键。 Si和SiC的物理性质比较

2021-09-15 |

什么情况下应该从硅片转换到宽带隙技术？

作者：英飞凌科技功率半导体和系统工程部杰出工程师Gerald Deboy 博士

2021-09-15 |

运算放大器的输入偏置电压

输入偏置电压是指有差分输入电路的运算放大器或比较器带有的误差电压。理想运算放大器或比较器的偏置电压为0V。给运算放大器或比较器的输入引脚输入同相（相同）电压时，理想运算放大器不会输出偏置电压，但存在输入偏置电压时，就会输出与输入偏置电压相应的输出电压。将该输出电压控制为0V所需的输入引脚间的电压差被称为输入偏置电压，该值为输入换算值。作为输入换算表示的优点是，由于运算放大器、... 阅读详情

2021-09-13 |

工程师术语扫盲：如何理解FIT和MTBF？

作者：周利伟，英飞凌工业功率控制事业部大中华区应用工程师在我们的日常工作中，经常会碰到器件失效或系统故障，这时为了清楚界定失效事件的严重性，就需要定量的来描述具体的失效率，这就需要用专业的术语来沟通，而有的工程师喜欢谈FIT，有的工程师喜欢谈MTBF，其实这两个概念所描述的主体是不一样的，因此有必要在此简析一下。 FIT，是英文Failures In Time的缩写，从其字面意思可知，... 阅读详情

2021-09-10 |

陶瓷电容老化，容值如何估算？关键是要理解“十倍时”的概念

陶瓷电容真的会老化？什么是十倍时？随着时间的推移，陶瓷电容会因结构的变化而失去一部分容值。这种损耗是无法避免的，但可以测量并确定。原厂通常会使用十倍时作为这一损失的计量单位。举例而言，我们来检查一下KEMET料号为C1210C106K4RACTU的物料。这是具有X7R温度系数的10uF物料。KEMET将此物料的损失指定在回流焊接后特定时窗中的设计公差范围内，并使用十倍时来衡量此过程。... 阅读详情

2021-09-10 |