技术
<p><strong>1. 什么是ToF？</strong></p>
<p>ToF是Time of Flight的缩写，它是一种通过利用照射波和反射波之间的时间差来测量到物体的距离的测距方法。</p>
<p>使用ToF的距离图像传感器可以通过照射诸如红外光之类的光，来测量每个像素的距离并记录深度信息来获知目标的三维结构。</p>
<p>电子设备在运转过程中必须要散热，因此在设计PCB电路原理图时，热设计是必须要认真考虑的问题；一旦设计不当，会对电子设备的可靠性产生不利影响。那么，PCB电路板热设计应遵循哪些规则？</p>
<p>1、从有利于散热的角度出发，PCB电路板最好是直立安装，板间距离不应小于2cm。</p>
<p>2、对于采用自由对流空气冷却的设备，最好将集成电路按纵长方式排列；对于采用强制空气冷却的设备，最好将集成电路按横长方式排列：</p>
<p>3、 同一块PCB电路板上的器件尽可能按其发热量大小及散热程度分区排列：发热量小或耐热性差的器件(如小信号晶体管等)放在冷却气流的最上流；发热量大或耐热性好的器件(如功率晶体管等)放在冷却气流最下游。</p>
<p><em>本文转载自：<a href="https://blog.csdn.net/weixin_42005993/article/details/102490492">硬件工程师炼…;
<p>对于硬件工程师来说，或多或少都会接触到音频电路，其中的耦合电容是少不了的了。</p>
<p>压敏电阻是一种限压型保护器件。利用压敏电阻的非线性特性，当过电压出现在压敏电阻的两极间，压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值，从而实现对后级电路的保护。压敏电阻的主要参数有：压敏电压、通流容量、结电容、响应时间等。</p>
<p>压敏电阻的失效模式通常是短路，为了防止压敏电阻的失效造成电源短路而起火，可以在每个压敏电阻上串联一个温度保险管或热脱离机构。温度保险管应与压敏电阻有良好的热耦合，当压敏电阻失效（高阻抗短路）时，它所产生的热量把温度保险管熔断，从而使失效的压敏电阻与电路分离，确保设备的安全。</p>
<p><strong>工作原理</strong></p>
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简单表述就是：EMC=EMI+EMS，值得注意的是，其中 EMI 其中包括 ESD，EMC 报告中包含 ESD 一项。在电子产品的设计时应该怎么做呢？<br />
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<strong>EMI、ESD、EMS、EMC 的定义与区别 </strong></p>
<p><strong>什么是去耦电容？</strong></p>
<p>从最严格的意义上讲，没有一个特定的组件被定义为去耦电容器。相反，术语去耦电容器是指电子电路中电容器的功能。去耦电容器是用于稳定电源平面上电压的电容器。</p>
<p>在涉及半导体IC的任何设计中，去耦电容器是必需品。这是因为提供给组件的电压远远不够理想。与理论上描述的完美水平线不同，即使拥有最干净的电源，实际应用中的电压读数也会波动。</p>
<p>去耦起到储能器的作用，并以两种方式稳定电压。当电压增加到额定值以上时，去耦电容器会吸收过多的电荷。同时，当电压下降时，去耦电容器释放电荷，以确保电源稳定。</p>
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压敏电阻和气体放电管工作原理一样吗，它们各有什么优缺点？共模电感、差模电感会影响EMS吗？为什么要用X电容、Y电容，二者是否可以相互替换？NTC放在哪里合适？本文简单总结EMC外围电路常用器件的特性及选型注意事项。</p>
<p><strong>一、压敏电阻</strong></p>
<p>压敏电阻的选型重要的几个参数为：大允许电压、大钳位电压、能承受的浪涌电流。</p>
<p>首先应保证压敏电阻大允许电压大于电源输出电压的大值；其次应保证大钳位电压不会超过后级电路所允许的大浪涌电压；后应保证流过压敏电阻的浪涌电流不会超过其能承受的浪涌电流。</p>
<p>电路保护主要有两种形式：过压保护和过流保护。选择适当的电路保护器件是实现高效、可靠电路保护设计的关键，涉及到电路保护器件的选型，我们就必须要知道各电路保护器件的作用。在选择电路保护器件的时候我们要知道保护电路不应干扰受保护电路的正常行为，此外，其还必须防止任何电压瞬态造成整个系统的重复性或非重复性的不稳定行为。</p>
<p>电路保护最常见的器件有三：GDT、MOV和TVS。</p>
<p><strong>GDT陶瓷气体放电管</strong></p>
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NTC热敏电阻，即负温度系数热敏电阻，其特性是电阻值随着温度的升高而呈非线性的 下降。NTC 在应用上一般分为测温热敏电阻和功率型热敏电阻，用于抑制浪涌的 NTC 热敏电阻指的就是功率型热敏电阻器。NTC热敏电阻就是抑制浪涌专用的功率型热敏电阻器。NTC热敏电阻在选型时需要注意的地方：</p>
<p><strong>最大额定电压和滤波电容值</strong></p>
<p>浪涌保护在电子设备电路设计中是非常重要的关键，浪涌指的是瞬间过电压。一旦电子设备处于因浪涌导致的过电压状态，会引起电子设备正常工作中断，对社会造成不良影响和巨大的经济损失；还可能在微电子芯片中留下潜伏性的隐患，是电子设备运行不稳定和加速老化，给有关系统的工作造成无穷的麻烦。因此我们在进行电子设备电路设计中应使用浪涌保护元件以排除浪涌的不良影响。</p>
<p>那么浪涌保护元件怎么选择才正确？</p>
<p>浪涌保护元件可以分为开关元件类、限压元件类和防过流和过热保护元件类三大类，具体选用哪种应当根据具体的应用进行分析，合理选择。</p>
<p><em>作者：玉京龙，来源：<a href="https://www.toutiao.com/i6952791642562773541/">卧龙会IT技术</a></em></p>
<p>在电子设计中，我们经常会遇到很多信号电平之间需要转换，因为不同设备通讯的前提是要保证信号电平一致，这就需要了解不同信号的电平标准。</p>
<p><em>作者：蒋修国，<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/WeW2YEEngB5Pe6Jm4UsklQ">信号完整性微信公众号</a></em><…;
<p>在文章的开头，给大家提一个问题： 相同物理长度的两段传输线如下图所示，一段直线A，一段绕线B，A和B哪一段的延时会更大？</p>
<p>对于正弦信号，流过一个元器件的电流和其两端的电压，它们的相位不一定是相同的。这种相位差是如何产生的呢？这种知识非常重要，因为不仅放大器、自激振荡器的反馈信号要考虑相位，而且在构造一个电路时也需要充分了解、利用或避免这种相位差。下面探讨这个问题。</p>
<p>首先，要了解一下一些元件是如何构建出来的；其次，要了解电路元器件的基本工作原理；第三，据此找到理解相位差产生的原因；第四，利用元件的相位差特性构造一些基本电路。</p>
<p><strong>一、电阻、电感、电容的诞生过程</strong></p>
<p>PCB板电路设计的原则包括以下几个方面：</p>
<p>1、PCB板的选用</p>
<p>2、PCB板尺寸</p>
<p>3、PCB板元件布局</p>
<p>4、PCB板布线</p>
<p>5、PCB板接地</p>
<p>6、PCB板抗干扰</p>
<p>7、PCB板焊盘</p>
<p>8、PCB板大面积填充</p>
<p>9、PCB板跨接线</p>
<p><strong>介电损耗（Df）</strong></p>
<p>Df的英文全文是Dissipation Factor，其基本定义是：传输线中已经朝向介质板材中损失掉的能量(Loss)针对传输线中仍然存在(即尚未损失者)能量(Stored)比对时，两者之比值就是Df。</p>
<p>Df是衡量介电材料能量耗损大小的指标，Df越低，则信号在介质中传送的完整性越好。</p>
<p><strong>1. 在小信号电路中一段很短的铜线所具有的电阻一定不重要吧?</strong></p>
<p>答：印制PCB线路板的导电带做得比较宽，增益误差会降低。在模拟电路中通常使用比较宽的导电带为好，但是许多印制线路板的设计者(和印制线路板设计程序)更喜欢采用最小宽度的导电带以便于信号线的布置。总之，在所有可能出现问题的地方，计算导电带的电阻并分析其作用，这是非常重要的.</p>
<p><strong>2. 前面介绍了有关单纯电阻的问题，的确一定存在一些电阻，其性能完全符合我们的预料。请问一段导线的电阻会怎样呢?</strong></p>
<p><strong>电感线圈和电感器区别</strong></p>
<p>电感线圈是电感器内中的一个重要组成部分。因为电感器一般由骨架、绕组（线圈）、屏蔽罩、封装材料、磁芯或铁芯等组成。</p>
<p>电感器是一种可以将电能转换为磁能并进行存储的元件。电感器的结构类似于变压器，但只有一个绕组。电感具有一定的电感，它仅阻碍电流的变化。如果电感器处于没有电流流过的状态，则当电路接通时，它将试图阻止电流流过；如果电感器处于电流流动的状态，则电路断开时它将尝试保持电流。电感器也称为扼流圈、电抗器和动态电抗器。</p>
<p>随着电子设备小型化以及电路中5G信号频率快速增加，电子控制系统的传输速率和时钟频率在不断的上升和提高。现在的时钟频率从原来的几十MHz上升到几GHz，信号的转换时间从纳秒级变为皮秒级，时钟及总线频率快速上升，信号上升边沿极速变陡，从而导致PCB上的信号传输路径对电子控制系统的性能形成极大的困扰，传输路径的设计对PCB上信号完整性有着关键性作用，过孔和传输线是信号完整性传导的两个关键器件，因此，对过孔和传输线的计算分析有助于解决高速PCB板电路中信号完整性问题。</p>
<p>来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤,例如穿透元器件内部薄的绝缘层;损毁MOSFET和CMOS元器件的栅极;CMOS器件中的触发器锁死;短路反偏的PN结;短路正向偏置的PN结;熔化有源器件内部的焊接线或铝线。为了消除静电释放(ESD)对电子设备的干扰和破坏,需要采取多种技术手段进行防范。</p>
