​碳化硅MOSFET

Wolfspeed 第五代 (Gen 5) 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术在比导通电阻方面实现重大突破，相较目前市面同类 1200 V 竞品方案，效率最高可提升27%

基于 Wolfspeed 第四代 (Gen 4) MOSFET 技术开发的新型TOLT封装，助力下一代 AI 数据中心实现更高的功率密度和热性能。

C4MS 系列采用软恢复体二极管，可实现快速开关，同时将过冲和振铃降至最低，从而为工程师提供了更大的设计空间，以便在应用中调整和优化性能

Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET，可在 185°C 下持续工作，助力动力总成系统实现最大性能。

纳微最新一代650V与1200V“沟槽辅助平面栅”碳化硅MOSFET，搭配优化的HV-T2Pak顶部散热封装，实现行业最高6.45mm爬电距离，可满足1200V以下应用的IEC合规性。