圣邦微电子推出 30V 单 N 沟道功率 MOSFET SGMNQ36430
judy -- 周四, 05/08/2025 - 10:13
SGMNQ36430 的主要特性包括低导通电阻和低栅极电荷。在 VGS = 10V 时，其导通电阻典型值为 2.9mΩ，最大值为 3.6mΩ，能够有效减少功率损耗
SGMNQ36430 的主要特性包括低导通电阻和低栅极电荷。在 VGS = 10V 时，其导通电阻典型值为 2.9mΩ，最大值为 3.6mΩ，能够有效减少功率损耗