栅极驱动器选得好,SiC MOSFET高效又安全
judy -- 周四, 01/02/2025 - 11:44![](https://cdn.eetrend.com/files/styles/picture400/public/2025-01/wen_zhang_/100587638-373737-sicmosfet.jpg?itok=4pQnQZCx)
在本文中,我们将讨论为SiC MOSFET选择栅极驱动器时应考虑的标准
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专为下一代电动汽车基础设施而设计,为高能效车载充电和逆变器提供结构紧凑的单元件解决方案
GHD3440Rx电机专用栅极驱动器,提升了面向低压应用场景的驱动能力,集成的LDO电路可从DC-DC转换电路为MCU提供稳定的低噪声电源
该半导体器件具有高栅极电流能力,可实现高边N沟道MOSFET的快速导通和关断
本文将分享电隔离栅极驱动器的隔离能力评估 ,并介绍其典型的应用市场与安森美可提供的高新能产品选型。
SGM48536xQ 是一款单通道高速低侧栅驱动器,用于驱动 MOSFET 和 IGBT 功率开关。该器件具有轨到轨驱动能力和极小的传播延迟
TB9103FTG可为无需速度控制的有刷DC电机提供优化的栅极驱动器功能和性能,为实现更紧凑设计开辟道路
可提供量身定制的导通和关断时序,将开关损耗降至最低,并增强dV/dt抗扰性能
这款高度集成的 3.3 kV XIFM 即插即用数字栅极驱动器可与基于SiC的高压电源模块搭配使用,从而简化并加快系统集成