专为下一代电动汽车基础设施而设计，为高能效车载充电和逆变器提供结构紧凑的单元件解决方案
Littelfuse宣布推出TPSMB非对称TVS二极管系列，这是首款上市的非对称瞬态电压抑制（TVS）二极管，专门用于保护汽车应用中的碳化硅（SiC）MOSFET栅极驱动器。 这一创新产品满足下一代电动汽车（EV）系统对可靠过压保护日益增长的需求，提供一种结构紧凑的单元件解决方案，取代了传统用于栅极驱动器保护的多个齐纳二极管或TVS元件。
TPSMB非对称TVS二极管
TPSMB非对称TVS二极管系列为SiC MOSFET栅极驱动器提供卓越的保护，与传统硅基MOSFET或IGBT相比，SiC MOSFET栅极驱动器的开关速度更快，因此容易发生过压故障。TPSMB系列独特的非对称设计支持SiC MOSFET不同的正负栅极驱动器额定电压，确保在使用SiC MOSFET的各种苛刻汽车电源应用中实现更高性能，这些应用包括：
车载充电器（OBC）
电动汽车牵引逆变器
输入/输出接口
Vcc 总线
这些应用要求SiC MOSFET栅极驱动器具有高性能过压保护（OVP），以确保最佳性能、寿命和效率。
单元件SiC MOSFET栅极驱动器保护：取代多个齐纳或TVS二极管，简化设计并减少元件数量； 非对称栅极驱动器电压保护：专为保护SiC MOSFET栅极驱动器而设计，这些驱动器需要不同的负电压和正电压额定值； 设计紧凑：该系列产品采用DO-214AA（SMB J-Bend）封装，非常适合空间受限的汽车设计； 车规级品质：通过AEC-Q101认证，确保为汽车应用提供最高可靠性； 高功率损耗：600W 峰值脉冲功率损耗（10×1000μs 波形）可针对瞬态过压故障提供强大保护； 低钳位电压：VC<10V@30A(8/20µs)，可提供最佳负栅极驱动保护； 宽频率稳定性：在高达2MHz的宽工作频率范围内具有稳定的电容，是SiC MOSFET应用的理想之选； 与主流SiC MOSFET兼容：适用于Littelfuse和其他市场领先的汽车SiC MOSFET。
供货情况
TPSMB非对称系列TVS二极管以卷带装形式供应，数量为3,000个。全球Littelfuse授权分销商均可接受样品申请。如需Littelfuse经销商列表，请访问Littelfuse.com。
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