技术

本系列文章将重点讨论直流链路环路电感和栅极环路电感对VE‑Trac IGBT和EliteSiC Power功率模块开关特性的影响

本文介绍常见的电平转换方法。

本文回顾了住宅和商用电池储能系统 (BESS) 的拓扑结构，然后介绍了安森美的EliteSiC方案，可作为硅MOSFET或IGBT开关的替代方案

在这篇文章中，我们将详述四个主要的中压应用领域，这些领域正在逐渐采用 GaN 技术。

3D-IC 传热模型有助于开发新的封装工艺。本文将讨论 3D-IC 及其传热模型。

这种模块结构紧凑、高度集成，具有高功率密度以及先进的控制与监测功能，非常适合热泵应用。

先进电子产品的仿真驱动型设计涉及哪些流程？电子产品的复杂程度远远超过电路，这意味着必须在多个层面上进行仿真驱动的设计

本文介绍第一个主题“升压型DC-DC转换器中高频噪声的产生原因”。

RISC-V采用了精简指令集计算机（RISC）的设计理念，与传统的复杂指令集计算机（CISC）相比，RISC-V的指令集更加简洁

很多应用场景都会用到低噪声放大器(LNA)，包括无线通信、传感器网络、导航卫星和射电望远镜等。