技术

SiC MOSFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道，尽管其工艺复杂，单元一致性比平面结构差。但是，沟槽结构可以增加单元密度，没有JFET效应，寄生电容更小，开关速度快，开关损耗非常低

机械断路器损耗低，但是速度慢而且会磨损。采用SiC FET的固态断路器可以解决这些问题且其损耗开始降低。

C_iss、C_rss和C_oss的电容特性是影响MOSFET开关特性的重要因素。

C_iss：输入电容（C_iss＝C_gd＋C_gs）

集成运算放大器是采用一定制造工艺将大量半导体三级管、电阻、电容等元件以及它们之间的连线制作在同一小块单晶硅的芯片上，并具有一定功能的电子电路。

毫米波雷达为汽车和工业应用提供了一种主要的感应方式，即使在恶劣的环境条件下，它也能够远距离、以出色的角度和速度精度检测距离为几厘米至几百米的物体。

AC/DC转换有变压器方式和开关方式。本节介绍变压器方式。

变压器方式

这是普通AC/DC转换器的变压器方式电路结构。

雪崩光电二极管是由日本工程师“Jun-ichi Nishizawa”于 1952 年设计的。雪崩光电二极管是一种非常灵敏的半导体探测器，它利用光电效应将光转化为电。

在光纤通信系统中，使用雪崩光电二极管等单个组件将光转换为电信号。在雪崩过程中，电荷载流子是通过碰撞产生的。光粒子状光子会产生许多电子，进而产生电流。

前言

肖特基二极管是重要的电子元器件，因为其承载着保护电路的重要作用，所以显得格外的不可或缺，我们都知道在选择肖特基二极管时，主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。

文章来源： 硬件十万个为什么

射频、高速数字电路：禁止锐角、尽量避免直角

文章来源： 得捷电子DigiKey

多芯导线通常用于信号传输，因此也经常需要屏蔽，以减少EMI对应用信号质量的影响。屏蔽可阻挡不必要的EMI干扰，在干扰影响重要的信号导线之前将它传导到地面。