技术

本文将针对具有驱动器源极引脚的TO-247-4L封装SiC MOSFET在桥式结构情况下的栅-源电压的行为，分LS侧（低边）MOSFET导通时和关断时两种情况用2个篇幅分别进行介绍。

在通用变频器或伺服驱动器的设计中，经常会用到英飞凌的PIM模块。一般情况下PIM模块中的整流二极管都是根据后面逆变IGBT的电流等级来合理配置的

晶体、谐振器、振荡器；这些可以旋转吗？

随着半导体技术的高速发展，现今电子产品工作频率越来越高，这种增加的频率会导致信号边缘响应更加陡峭。并且由于电路板设计得越来越紧凑，布线越来越密，导致串扰问题也在日益激增。

功率MOSFET用户都非常熟悉“静电敏感器件”警告标志。然而，越熟悉越容易大意。从统计的角度来看，单个MOSFET不太可能被静电放电损坏。然而，在处理成千上万个MOSFET时，极小的故障都可能带来极大的影响。

在开关电源中，稳定直流信号中交流纹波的叠加通常都是工程师苦恼的问题，那么我们如何来减小和抑制纹波噪声呢？

高密度互连 (HDI) 需求主要来自于芯片供应商。最初的球栅阵列封装 (BGA) 支持常规过孔。渐渐地，引脚变得更加密集。1.27 毫米的间距变成了 1 毫米，然后是 0.8 毫米，再到 0.65 毫米的中心距。

在IGBT时代，门极电压的选择比较统一，无非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V这几档。而在新兴的SiC MOSFET领域，还未有约定俗成的门极电压规范。本文就SiC MOSFET的门极电压选择上的困惑，提供些有用的参考。

随着电子技术的快速发展，便携设备已渗透到人们生活的各个方面。以手机为例，当今社会生活已离不开手机的使用，从日常通讯到娱乐购物，甚至核酸检测[此处有表情]，不可否认，手机已经成为了最重要的工具。

功率薄/厚膜电阻是一种电阻产品，可在承受大电流时保持高稳定性能。同时，电阻在运行过程中会产生热量，因此散热需要热管理解决方案