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铠侠宣布用于氧化物半导体的DRAM内存的OCTRAM技术

judy -- 周五, 12/27/2024 - 10:27

OCTRAM采用圆柱形InGaZnO垂直晶体管作为单元晶体管。这种设计能够适配4F² DRAM，与传统的硅基6F² DRAM相比，4F² DRAM在存储密度方面具有显著优势。

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铠侠推出第八代BiCS FLASHTM QLC闪存，为业界带来领先的2Tb最大容量

judy -- 周四, 07/04/2024 - 17:10

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铠侠推出第二代UFS 4.0嵌入式闪存设备

judy -- 周一, 06/19/2023 - 10:22

全新的256GB、512GB和1TB闪存设备允许智能手机和移动应用程序充分利用5G网络的高速率

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铠侠正在出样符合JEDEC eMMC Ver 5.1新标准的消费级嵌入式闪存产品

judy -- 周三, 08/31/2022 - 11:41

铠侠今日宣布其符合 JEDEC eMMC Ver 5.1 标准、适用于消费级市场的最新一代嵌入式闪存产品已开始出样

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