Diodes推超低VCE(sat)车规晶体管:面积缩小75%,效率提升50%! judy / 周二, 6 一月 2026 - 10:10 这些器件可在最高+175°C温度下持续工作,并具备高静电放电坚固性(HBM 4kV、CDM 1kV),能在严苛的汽车环境中可靠工作。 阅读更多 关于 Diodes推超低VCE(sat)车规晶体管:面积缩小75%,效率提升50%!登录 发表评论
ST推出采用强化版STripFET F8技术的标准阈压40V MOSFET judy / 周四, 16 一月 2025 - 11:03 意法半导体的STripFET F8技术确保器件具有很高的稳健性和更大的安全工作区(SOA),能够处理大功率,耐受大功率造成的漏源电压(VDS)大幅下降 阅读更多 关于 ST推出采用强化版STripFET F8技术的标准阈压40V MOSFET登录 发表评论