Diodes推超低VCE(sat)车规晶体管：面积缩小75%，效率提升50%！
judy -- 周二, 01/06/2026 - 10:10
这些器件可在最高+175°C温度下持续工作，并具备高静电放电坚固性（HBM 4kV、CDM 1kV），能在严苛的汽车环境中可靠工作。
车规晶体管
ST推出采用强化版STripFET F8技术的标准阈压40V MOSFET
judy -- 周四, 01/16/2025 - 11:03
意法半导体的STripFET F8技术确保器件具有很高的稳健性和更大的安全工作区(SOA)，能够处理大功率，耐受大功率造成的漏源电压(VDS)大幅下降