并联设计

随着Al工作负载日趋复杂和高耗能，能提供高能效并能够处理高压的可靠SiC JFET将越来越重要。我们将详细介绍安森美(onsemi)SiC cascode JFET

本白皮书将探讨IGBT并联的技术要点，本文将继续介绍栅极电阻、经验数据。