革新电路保护:Qorvo 4mΩ SiC JFET 助力固态断路器升级
judy -- 周五, 09/06/2024 - 15:15Qorvo推出了一款750V、4毫欧(mΩ)碳化硅(SiC)结型场效应晶体管(JFET)产品;其采用紧凑型无引脚表面贴装(TOLL)封装,可带来卓越的断路器设计和性能
Qorvo推出了一款750V、4毫欧(mΩ)碳化硅(SiC)结型场效应晶体管(JFET)产品;其采用紧凑型无引脚表面贴装(TOLL)封装,可带来卓越的断路器设计和性能
本文将回顾该领域的发展,同时比较机械保护和使用不同半导体器件实现的固态断路器 (SSCB) 的优缺点
近年来,人们对固态断路器和固态功率控制器的兴趣越来越浓厚。鉴于SiC JFET在高额定电压下具有低开态电阻而且它在需要时进行限流的能力毫不逊色,它们一直被视为此应用的理想器件。我们调查了常关型SiC FET在双栅极结构中的使用情况,以简化大电流直流断路器和交流断路器的开发
机械断路器损耗低,但是速度慢而且会磨损。采用SiC FET的固态断路器可以解决这些问题且其损耗开始降低。