内存

NEO Semiconductor重磅推出全球首款用于AI芯片的超高带宽内存（X-HBM）架构，基于其自研的3D X-DRAM技术，突破传统HBM技术在带宽与容量上的瓶颈

LPDDR4/4X 内存产品专为满足汽车和工业领域的严苛需求而设计，提供双倍数据传输速率，具备低功耗和设计灵活性。

该款 128GB DDR5 RDIMM 内存采用美光行业领先的 1β（1-beta） 制程技术，相较于采用 3DS 硅通孔（TSV）技术的竞品，容量密度提升 45% 以上，能效提升高达 22%，延迟降低高达 16%。

Micron推出首款标准低功耗压缩附加内存模块（LPCAMM2），提供从 16GB 至 64GB 的容量选项，为 PC 提供更高性能、更低功耗、更紧凑的设计空间及模块化设计

如今，智能、互联和带宽密集型应用依赖于超快、低延迟的内存访问，以实现我们日常生活所依赖的一系列功能。那么，什么样的技术能够满足这些要求？

与 So-DIMM 相比，LPCAMM性能提高 50%，能效提高 70%，面积缩小 60%，预计将于 2024 年实现商业化

边缘计算系统想要支持机器学习与推理并实现 GPU 级别的计算性能，就需要高性能 DRAM 解决方案

TechInsights手机元件技术服务指出，由于终端市场需求下降，客户库存水平持续上升，导致供应过剩，智能手机内存市场遭遇了严重逆风

与 3200 MT/s 的上一代 DDR4 内存相比，DDR5 内存的起步频率提升了 50%、达到了 4800 MT/s，对注重高带宽的应用场景极具吸引力。

新款 GDDR6X 内存为美光独有产品，容量较上一代 8Gb 版本翻了一倍，性能提升高达 15%。