Wolfspeed推出新型顶部散热(TSC)碳化硅MOSFET和肖特基二极管,优化热管理并节约能耗
judy -- 周一, 07/07/2025 - 09:48
该系列提供 650 V 至 1200 V 多种电压选项,能显著提升系统功率密度和效率,同时优化热管理性能并增强电路板布局灵活性。
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Wolfspeed 推出的工业级 C3M0900170x 和获得车规级认证 (AEC-Q101) 的 E3M0900170x 碳化硅 MOSFET 产品系列,可在 20 至 200 W 范围内增强辅助电源的设计能力
Littelfuse提供高效的保护解决方案,有助于最大限度地延长电源的使用寿命、可靠性和鲁棒性。
碳化硅功率半导体在光伏、充电、电动汽车等行业得到了广泛应用,其潜力毋庸置疑。然而,从当前高功率碳化硅MOSFET来看,仍存在一个难题
基本半导体正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品,产品性能进一步提升,封装形式更加丰富
DSCxxA065LP 系列的反向漏电流 (IR) 也低于业界其他产品,最大仅为 20µA。这能大幅降低热耗散和传导损耗,提高系统稳定性以及可靠度
随着SiC的应用增多,客户对SiC技术知识的积累正热情高涨。然而在日常访客过程中,我发现即使是资深的研发工程师,都会存在两个最常见的认知误区
40 A至240 A双二极管和单相桥式器件正向压降低至1.36 V,QC仅为56 nC
Qorvo推出了一款750V、4毫欧(mΩ)碳化硅(SiC)结型场效应晶体管(JFET)产品;其采用紧凑型无引脚表面贴装(TOLL)封装,可带来卓越的断路器设计和性能
基本半导体自主研发推出可支持米勒钳位功能的双通道隔离驱动芯片BTD25350,此驱动芯片专为碳化硅MOSFET门极驱动设计