基本半导体推出新一代碳化硅MOSFET
judy -- 周三, 05/07/2025 - 10:19
基本半导体正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品,产品性能进一步提升,封装形式更加丰富
基本半导体正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品,产品性能进一步提升,封装形式更加丰富
DSCxxA065LP 系列的反向漏电流 (IR) 也低于业界其他产品,最大仅为 20µA。这能大幅降低热耗散和传导损耗,提高系统稳定性以及可靠度
随着SiC的应用增多,客户对SiC技术知识的积累正热情高涨。然而在日常访客过程中,我发现即使是资深的研发工程师,都会存在两个最常见的认知误区
40 A至240 A双二极管和单相桥式器件正向压降低至1.36 V,QC仅为56 nC
Qorvo推出了一款750V、4毫欧(mΩ)碳化硅(SiC)结型场效应晶体管(JFET)产品;其采用紧凑型无引脚表面贴装(TOLL)封装,可带来卓越的断路器设计和性能
基本半导体自主研发推出可支持米勒钳位功能的双通道隔离驱动芯片BTD25350,此驱动芯片专为碳化硅MOSFET门极驱动设计
碳化硅(SiC)功率器件已经被广泛应用于服务器电源、储能系统和光伏逆变器等领域