三星启动其首批第九代V-NAND闪存量产
judy -- 周二, 04/23/2024 - 10:16第九代V-NAND配备了下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”,可将数据输入/输出速度提高33%,最高可达每秒3.2千兆位(Gbps)
第九代V-NAND配备了下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”,可将数据输入/输出速度提高33%,最高可达每秒3.2千兆位(Gbps)
三星最新ISOCELL HP2传感器提高满井容量,充分释放其像素性能
近年来,三星发布了多款ISOCELL系列图像传感器,最高可提供2亿像素,为智能手机用户提供了超高分辨率的影像
三星第8代V-NAND具有目前三星同类产品中最高的存储密度,可更高效地为企业扩展存储空间