Transphorm

本白皮书讨论了GaN固有的物理特点。以及常关d模式GaN解决方案如何最大限度地发挥这些固有优势

Transphorm FET利用简单的半桥门驱动器实现高达99%的效率，验证了在超过一千瓦的宽广功率范围内具有成本效益的设计方案

这些SMD提供Transphorm专利SuperGaN® d-mode双开关常闭式平台所带来的可靠性和性能优势，并采用为竞品e-mode GaN器件常用的封装配置

Transphorm用于紧凑型功率转换应用的SuperGaN产品系列目前包括三款650V器件：480 mΩ FET、300 mΩ FET以及150 mΩ FET。这些器件采用标准的PQFN 5x6和8x8封装，并可在150°C下满足JEDEC认证标准。