东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率 judy / 周二, 13 六月 2023 - 16:54 600V DTMOSVI系列产品的单位面积漏源导通电阻降低了约13%，漏源导通电阻×栅漏电荷（MOSFET性能的品质因数）降低了约52% 阅读更多 关于 东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率登录 发表评论
