东芝推出具有更低导通电阻的小型化超薄封装共漏极MOSFET，适用于快充设备 judy / 周四, 18 五月 2023 - 14:35 东芝推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”，该器件可用于移动设备锂离子（Li-ion）电池组中的电池保护电路 阅读更多 关于 东芝推出具有更低导通电阻的小型化超薄封装共漏极MOSFET，适用于快充设备登录 发表评论
