Vishay 新款150 V MOSFET具备业界领先的功率损耗性能
judy -- 周三, 11/20/2024 - 11:05
TrenchFET® 器件采用PowerPAK® SO-8S封装，RthJC低至0.45 °C/W，ID高达144 A，从而提高功率密度
TrenchFET® 器件采用PowerPAK® SO-8S封装，RthJC低至0.45 °C/W，ID高达144 A，从而提高功率密度