三菱电机成功开发基于新型结构的SiC-MOSFET
judy -- 周四, 06/08/2023 - 11:00
新型芯片结构能有效防止浪涌电流集中在特定芯片上
SiC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种基于碳化硅（SiC）材料的场效应晶体管。SiC作为一种宽禁带半导体材料，具有优越的高温、高频和高电压特性，使得SiC MOSFET在高性能电力电子领域越来越受到关注。
SiC-MOSFET
SiC MOSFET的短沟道效应
judy -- 周一, 03/27/2023 - 10:18
本文主要分析了在SiC MOSFET中比较明显的短沟道效应、Vth滞回效应、短路特性以及体二极管的鲁棒性
Si对比SiC MOSFET 改变技术—是正确的做法
judy -- 周四, 12/01/2022 - 09:16
相比基于硅(Si)的MOSFET，基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可实现更高的效率水平，但有时难以轻易决定这项技术是否更好的选择。本文将阐述需要考虑哪些标准因素。
1000h SiC MOSFET体二极管可靠性报告
judy -- 周一, 07/11/2022 - 14:46
目前SiC MOSFET体二极管的可靠性研究论文和报告较少，本文针对SiC MOSFET的体二极管可靠性进行研究。
SiC MOSFET的桥式结构
judy -- 周四, 01/13/2022 - 15:57
在探讨“SiC MOSFET：桥式结构中Gate-Source电压的动作”时，本文先对SiC MOSFET的桥式结构和工作进行介绍，这也是这个主题的前提。