第14讲：工业用NX封装全SiC功率模块
judy -- 周三, 01/22/2025 - 15:00
三菱电机开发了工业应用的NX封装全SiC功率模块，采用低损耗SiC芯片和优化的内部结构，与现有的Si-IGBT模块相比，显著降低了功率损耗
SiC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种基于碳化硅（SiC）材料的场效应晶体管。SiC作为一种宽禁带半导体材料，具有优越的高温、高频和高电压特性，使得SiC MOSFET在高性能电力电子领域越来越受到关注。
SiC-MOSFET
为什么超大规模数据中心要选用SiC MOSFET？
judy -- 周二, 12/24/2024 - 14:51
如今，数据中心迫切需要能够高效转换电能的功率半导体，以降低成本并减少排放。更高的电源转换效率意味着发热量减少，从而降低散热成本。
三菱电机开始提供用于xEV的SiC-MOSFET裸片样品
judy -- 周三, 11/13/2024 - 10:05
三菱电机的新型功率半导体芯片是一种特有的沟槽栅SiC-MOSFET，与传统的平面栅SiC-MOSFET相比，其功率损耗降低了约50%
三菱电机推出两款新型SBD嵌入式SiC-MOSFET模块
judy -- 周三, 06/12/2024 - 14:30
新的低电流模块，适用于铁路车辆的辅助电源和相对小容量的驱动系统，适用不同功率要求的大型工业设备
Qorvo SiC FET与SiC MOSFET优势对比
judy -- 周五, 04/12/2024 - 11:27
本文将详细阐述 Qorvo 研发的 SiC FET（共源共栅结构FET）相较于同类SiC MOSFET的显著优势。
SiC MOSFET用于电机驱动的优势在哪里
judy -- 周三, 12/20/2023 - 09:59
在我们的传统印象中，电机驱动系统往往采用IGBT作为开关器件，而SiC MOSFET作为高速器件往往与光伏和电动汽车充电等需要高频变换的应用相关联
Nexperia首款SiC MOSFET提高了工业电源开关应用的安全性、稳健性和可靠性标准
judy -- 周四, 11/30/2023 - 09:44
1200 V分立器件提供出色的性能，有助于加速全球能源转型<
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装
judy -- 周四, 08/31/2023 - 14:30
与东芝目前采用3引脚TO-247封装的产品TW045N120C相比，新型TW045Z120C的开通损耗降低了约40%，关断损耗降低了约34%
漏极和源极之间产生的浪涌
judy -- 周五, 07/14/2023 - 10:08
漏极和源极间的浪涌是由各种电感分量和MOSFET寄生电容的谐振引起的
新能源车SiC-MOSFET发展分析
judy -- 周一, 06/19/2023 - 09:46
功率半导体包含功率集成电路和功率分离式组件。功率集成电路安装在驱动电路板上，以发送信号控制功率组件/模块进行开关