SiC-MOSFET

该芯片专为电动汽车（EV）主驱逆变器，车载充电器以及太阳能发电系统等可再生能源的功率系统等中的功率器件而设计

三菱电机开发了工业应用的NX封装全SiC功率模块，采用低损耗SiC芯片和优化的内部结构，与现有的Si-IGBT模块相比，显著降低了功率损耗

如今，数据中心迫切需要能够高效转换电能的功率半导体，以降低成本并减少排放。更高的电源转换效率意味着发热量减少，从而降低散热成本。

三菱电机的新型功率半导体芯片是一种特有的沟槽栅SiC-MOSFET，与传统的平面栅SiC-MOSFET相比，其功率损耗降低了约50%

新的低电流模块，适用于铁路车辆的辅助电源和相对小容量的驱动系统，适用不同功率要求的大型工业设备

本文将详细阐述 Qorvo 研发的 SiC FET（共源共栅结构FET）相较于同类SiC MOSFET的显著优势。

在我们的传统印象中，电机驱动系统往往采用IGBT作为开关器件，而SiC MOSFET作为高速器件往往与光伏和电动汽车充电等需要高频变换的应用相关联

1200 V分立器件提供出色的性能，有助于加速全球能源转型<

与东芝目前采用3引脚TO-247封装的产品TW045N120C相比，新型TW045Z120C的开通损耗降低了约40%，关断损耗降低了约34%

漏极和源极间的浪涌是由各种电感分量和MOSFET寄生电容的谐振引起的