Si-MOSFET

商用的Si MOSFET耐压普遍不超过900V，而SiC拥有更高的击穿场强，在结构上可以减少芯片的厚度，从而较大幅度地降低MOSFET的通态电阻，本文带你了解其静态特性。

本文重点介绍Littelfuse提供的≥2 kVHV分立硅MOSFET器件。