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Vishay 新款150 V MOSFET具备业界领先的功率损耗性能

judy -- 周三, 11/20/2024 - 11:05

TrenchFET® 器件采用PowerPAK® SO-8S封装，RthJC低至0.45 °C/W，ID高达144 A，从而提高功率密度

judy -- 周二, 05/07/2024 - 10:15

第四代器件，额定功率和功率密度高于D2PAK 封装产品，降低导通和开关损耗，从而提升能效

judy -- 周三, 10/12/2022 - 10:30

SiHK045N60EF导通电阻比前代器件降低29 %，为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案，同时栅极电荷下降60 %

judy -- 周三, 02/09/2022 - 10:59

60 V SiJH600E和80 V SiJH800E具有超低导通电阻，工作温度可达+175 °C以及高连续漏极电流。节省空间的PowerPAK® 8x8L封装采用无引线键合鸥翼引线结构消除机械应力，有助于提高板级可靠性。