铠侠宣布用于氧化物半导体的DRAM内存的OCTRAM技术 judy / 周五, 27 十二月 2024 - 10:27 OCTRAM采用圆柱形InGaZnO垂直晶体管作为单元晶体管。这种设计能够适配4F² DRAM,与传统的硅基6F² DRAM相比,4F² DRAM在存储密度方面具有显著优势。 阅读更多 关于 铠侠宣布用于氧化物半导体的DRAM内存的OCTRAM技术登录 发表评论