东芝开发出首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块，助力工业设备的高效率和小型化 judy / 周二, 29 八月 2023 - 15:02 新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极电流（DC）额定值为250A，适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用 阅读更多 关于 东芝开发出首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块，助力工业设备的高效率和小型化登录 发表评论
