先进隔离分立封装使SiC MOSFET芯片温度降低60°C judy / 周三, 25 六月 2025 - 14:33 传统分立式SiC MOSFET与散热器的隔离依赖于外部导热电绝缘材料。这不仅增加了结对散热片的热阻,还使热管理复杂化,并在自动和手动装配过程中造成障碍。 阅读更多 关于 先进隔离分立封装使SiC MOSFET芯片温度降低60°C登录 发表评论