HVIGBT

通过在芯片终端区域采用新型电场弛豫结构和表面电荷控制技术将芯片的终端面积减小约30%，同时抗湿性提升了20倍

新模块实现了出色的可靠性、低功率损耗和低热阻，有望提高大型工业设备中逆变器的可靠性和效率。