从欠阻尼到过阻尼：一文看懂GaN栅极波形如何“翻身” judy / 周四, 24 七月 2025 - 11:33 增强型GaN HEMT具有开关速度快、导通电阻低、功率密度高等特点，正广泛应用于高频、高效率的电源转换和射频电路中。 阅读更多 关于 从欠阻尼到过阻尼：一文看懂GaN栅极波形如何“翻身”登录 发表评论
远山半导体联合山东大学成功研制1800V高压E-mode GaN HEMT器件 judy / 周二, 21 七月 2026 - 15:33 器件的比导通电阻低至4.6 mΩ·cm2，巴利加优值（BFOM）超过785 MW/cm2，在安培级电流输出能力的E-mode GaN HEMTs中处于领先水平 阅读更多 关于 远山半导体联合山东大学成功研制1800V高压E-mode GaN HEMT器件登录 发表评论