三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工艺
judy -- 周三, 08/09/2023 - 15:54
TechInsights发现了四种EUV光刻(EUVL)工艺，用于阵列有源切割/外围有源(有源修剪)、位线接触(BLC)、存储节点接触垫(SNLP)/外围第一金属层 (M1)和存储节点(SN)管图形化
TechInsights发现了四种EUV光刻(EUVL)工艺，用于阵列有源切割/外围有源(有源修剪)、位线接触(BLC)、存储节点接触垫(SNLP)/外围第一金属层 (M1)和存储节点(SN)管图形化