技术

本文主要探讨了第三代SiC MOSFET在电源设计中的应用。文章对比了Si与SiC的材料特性，回顾了SiC MOSFET的发展历程

本白皮书将探讨IGBT并联的技术要点，第一篇将介绍静态变化、动态变化、热系数。

本方案支持双电机无感FOC控制，单核条件下仅需24.8μs即可对双电机执行完整电流环控制

从本文开始将为大家具体介绍传感器相关的内容。正如在“前言”中提到的，将从物联网的角度出发展开相关介绍。我们首先来了解“加速度传感器”

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率

当针对需要辅助监控和监控元件以实现功能安全合规性的传统控制器设计进行基准测试时，LM5137F-Q1 等降压控制器具有多项固有优势。

与系统模拟输入和输出节点交互作用的外置高压瞬变可能破坏系统中未采用充分保护措施的集成电路(IC)。

在寻找合适的DC-DC负载点稳压器来满足此要求时，我们发现市面上具有可调限流功能的电压转换器很少见。

本文将讨论在选择功率半导体技术和定义高电压、高电流电池断开开关的半导体封装时的一些设计注意事项，以及表征系统的寄生电感和过流保护限值的重要性。

在Si-IGBT的DIPIPM基础上，三菱电机开发了超小型全SiC DIPIPM，保持相同的封装及管脚配置。本文带你一览超小型全SiC DIPIPM的优势。