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通过双触点端子提高可靠性：JAE推出了使用特殊浮动技术的AX01高速浮动式连接器系列。这些连接器的有效 x 和 y 方向间隙为±0.5mm。

DER-937是一款采用高度集成的升压PFC和氮化镓反激式开关IC设计的100W USB PD充电器，总共仅使用117个元件

新型反格式厚膜芯片可在更小的PCB面积内提供两到三倍的标准额定功率，从而可为电源电路设计提供高级选项

株式会社村田制作所（以下简称“本公司”）现已开发了搭载NXP semiconductors N.V（以下简称“恩智浦公司”）支持UWB(1)的芯片——Trimension™ SR150（以下简称“SR150”）的超小型UWB通信模块“Type 2BP”（以下简称“2BP”），以及搭载恩智浦公司的Trimension™ SR040（以下简称“SR040”）和Bluetooth® LE(2)芯片

工业级650V、10A SiC肖特基二极管样品现已开始供货。还将计划推出1200V/6-20A电流范围部件和车规级部件

可定制器件采用小型两件式结构，工作温度达+105 °C，适用于各种恶劣商用环境

作者：电子创新网张国斌

UnitedSiC的UJ4C/SC 750V SiC FET系列现在已经拥有13种器件，同时其优异性能的覆盖范围更广了。该系列的首款产品是业内优异的新6mΩ RDS(on) SiC FET，还包含9、11、18、23、33、44和60mΩ规格产品（图1）。6mΩ产品具有一个新特征，它的短路耐受时间可靠，额定值为5µs（图2）。

工业级650V、10A SiC肖特基二极管样品现已开始供货。还将计划推出1200V/6-20A电流范围部件和车规级部件

Nexperia今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二极管，正式进军高功率碳化硅(SiC)二极管市场。这对于高效功率氮化镓(GaN) FET的可靠供应商Nexperia而言是一项战略性举措，旨在扩展高压宽禁带半导体器件产品范围。

加固型双电层储能电容器被评为年度高性能无源分立器件