芯塔电子发布1200V/12mΩ SiC MOSFET
judy -- 周三, 03/11/2026 - 17:45
TM4G0012120K其12mΩ的超低导通电阻（VGS=18V，ID=75A，Tj=25℃）配合1200V的击穿电压能力，为高功率密度应用树立了新的技术标杆
芯塔电子
芯塔碳化硅器件批量供货光伏电站核心系统
judy -- 周三, 12/24/2025 - 10:48
近日，芯塔电子自主研发的第三代碳化硅MOSFET成功实现向华南某大型集中式光伏电站的大批量交付，并已全面应用于该电站的核心功率转换环节。