纳微发布第三代快速碳化硅MOSFETs， 促进AI数据中心功率提升，加快电动汽车充电速度
judy -- 周二, 06/11/2024 - 15:24
具备行业领先的温控性能，全新650V和1200V碳化硅MOSFETs可低温运行和快速开关，为AI数据中心提升三倍功率并加速电动汽车充电
具备行业领先的温控性能，全新650V和1200V碳化硅MOSFETs可低温运行和快速开关，为AI数据中心提升三倍功率并加速电动汽车充电