全新MASTERGAN1,让GaN晶体管更具说服力和直观性 judy / 周二, 10 十二月 2024 - 10:27 该款新器件具有极高的象征意义,因为集成度更高,设计应用更为简便。 阅读更多 关于 全新MASTERGAN1,让GaN晶体管更具说服力和直观性登录或注册以发表评论
GaN 技术的过去和现在 judy / 周四, 10 三月 2022 - 16:17 本书提供了牢固的 GaN 基础知识。它着眼于技术和 GaN 实现的驱动因素,以帮助您了解普及 GaN 的益处。它还调查了目前各行各业使用 GaN 的成熟和前沿应用。 阅读更多 关于 GaN 技术的过去和现在登录或注册以发表评论
氮化镓增强型GaN晶体管结构简介 judy / 周三, 5 八月 2026 - 15:57 GaN 氮化镓晶体管(HEMT)的基本结构如下图1所示,以 GaN/AlGaN 异质结为主体,在AlGaN/ GaN的异质结界面处,由于氮化镓材料的自发极化效应与压电极化效应 阅读更多 关于 氮化镓增强型GaN晶体管结构简介登录或注册以发表评论