数据中心

基于 Wolfspeed 第四代 (Gen 4) MOSFET 技术开发的新型TOLT封装，助力下一代 AI 数据中心实现更高的功率密度和热性能。

GD25NX系列SPI NOR Flash支持八通道SPI模式，最高时钟频率为STR 200MHz，DTR 200MHz，实现高达400MB/s数据吞吐量。

TPP21206支持2.7V~16V宽输入电压范围，输出电压0.6V~5.5V调节，稳态输出电流高达12A。采用COT（Constant On-Time）控制架构，高度集成补偿功能

澜起科技CXL 3.1内存扩展控制器采用PCIe 6.2物理层接口，支持最高64 GT/s的传输速率(x8通道)，并具备多速率、多宽度的兼容能力

新产品采用TDK专有的金属磁性材料与结构设计，在1206尺寸下实现10μH电感值的最高标准性能。

英诺赛科此次推出的多相降压电源方案利用氮化镓高频高效的优势和四相交错Buck拓扑结构，实现高功率密度紧凑设计

TPS1689 和 TPS1685 通过集成这些功能简化了设计，将解决方案尺寸缩减多达 50%，同时提供无缝可扩展性以支持高功率级别。

在人工智能（AI）和机器学习（ML）加持下的新一代数据中心正在对复杂的计算能力、巨大的存储容量和无缝连接产生前所未有的需求

如今，数据中心迫切需要能够高效转换电能的功率半导体，以降低成本并减少排放。更高的电源转换效率意味着发热量减少，从而降低散热成本。

在DC/DC转换器中，GaN器件提高了降压/升压转换器等电压转换器的效率，尤其适合电动汽车和数据中心等应用