门极驱动正压对功率半导体性能的影响 judy / 周四, 25 一月 2024 - 11:17 本文将会从导通损耗,开关损耗和短路性能来分别讨论。 阅读更多 关于 门极驱动正压对功率半导体性能的影响登录 发表评论
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低开关损耗的4引脚封装 judy / 周四, 31 八月 2023 - 14:30 与东芝目前采用3引脚TO-247封装的产品TW045N120C相比,新型TW045Z120C的开通损耗降低了约40%,关断损耗降低了约34% 阅读更多 关于 东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低开关损耗的4引脚封装登录 发表评论
东芝开发全球首款双栅极RC-IEGT,可降低开关损耗 judy / 周五, 17 六月 2022 - 17:20 新开发的双栅极RC-IEGT结合栅极控制技术,关断和导通损耗分别比传统单栅极结构降低24%和18%,反向恢复损耗降低32%。因此,实际测量值中总开关损耗降低24%,而导通损耗没有任何增加。 阅读更多 关于 东芝开发全球首款双栅极RC-IEGT,可降低开关损耗登录 发表评论
用数据看TO-247封装单管开尔文管脚的重要性 judy / 周三, 19 一月 2022 - 15:25 为了大大减少开通损耗,英飞凌为TRENCHSTOP™ 5系列的器件引入了TO-247 4pin封装。这种封装多了一个额外的发射极引脚,称为开尔文发射极,专门用于驱动回路。 阅读更多 关于 用数据看TO-247封装单管开尔文管脚的重要性登录 发表评论