SiC MOSFET的并联设计要点 judy / 周四, 16 四月 2026 - 17:03 SiC MOSFET 的单管额定电流受芯片面积、封装散热、导通电阻等因素限制，常见的单管额定电流多在几十到两百安培，而轨道交通、新能源并网、高压逆变器等场景 阅读更多 关于 SiC MOSFET的并联设计要点登录或注册以发表评论
SiC JFET并联难题大揭秘，这些挑战让工程师 “头秃”！ judy / 周四, 27 二月 2025 - 17:29 随着Al工作负载日趋复杂和高耗能，能提供高能效并能够处理高压的可靠SiC JFET将越来越重要。我们将详细介绍安森美(onsemi)SiC cascode JFET 阅读更多 关于 SiC JFET并联难题大揭秘，这些挑战让工程师 “头秃”！登录或注册以发表评论
IGBT并联设计指南，拿下！ judy / 周二, 21 一月 2025 - 10:20 本白皮书将探讨IGBT并联的技术要点，本文将继续介绍栅极电阻、经验数据。 阅读更多 关于 IGBT并联设计指南，拿下！登录或注册以发表评论
