东芝推出面向更高效工业设备的第三代SiC MOSFET judy / 周二, 30 八月 2022 - 15:04 新产品的单位面积导通电阻（RDS(ON)A）下降了大约43%，从而使“漏源导通电阻×栅漏电荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大约80% 阅读更多 关于 东芝推出面向更高效工业设备的第三代SiC MOSFET登录 发表评论