什么是宽禁带半导体？ judy / 周五, 28 四月 2023 - 10:02 GaN的带隙为3.4eV，是Si的3倍多。宽禁带特性使GaN器件可以在与Si器件相同的电阻下，表现出更高的耐压 阅读更多 关于 什么是宽禁带半导体？登录 发表评论
宽禁带半导体：后摩尔时代超车绝佳赛道？ judy / 周三, 19 十月 2022 - 10:40 摩尔定律已逼近物理极限。“卷不过”就换赛道，宽禁带半导体成为后摩尔时代半导体发展的“蹊径”之一 阅读更多 关于 宽禁带半导体：后摩尔时代超车绝佳赛道？登录 发表评论
什么是宽禁带半导体？Si、SiC 和 GaN 基础知识总结 judy / 周五, 31 七月 2026 - 10:02 从智能手机、电动汽车到可再生能源设备，支撑我们日常生活的众多电子产品中都离不开半导体。近年来，“宽禁带 (WBG) 半导体”一词频频进入公众视野。 阅读更多 关于 什么是宽禁带半导体？Si、SiC 和 GaN 基础知识总结登录 发表评论
