宽禁带半导体 | 电子创新元件网

什么是宽禁带半导体？

judy -- 周五, 04/28/2023 - 10:02

GaN的带隙为3.4eV，是Si的3倍多。宽禁带特性使GaN器件可以在与Si器件相同的电阻下，表现出更高的耐压

judy -- 周三, 10/19/2022 - 10:40

摩尔定律已逼近物理极限。“卷不过”就换赛道，宽禁带半导体成为后摩尔时代半导体发展的“蹊径”之一