东芝

TPH9R00CQ5具有行业领先的9.0mΩ（最大值）的低漏源导通电阻，与东芝现有产品“TPH1500CNH1”相比降低了约42%。

新产品可以通过外部终端进行指令节点和响应节点之间的模式切换。此外，它具有5μA（典型值）的电流消耗（睡眠）（IBAT_SLP）[6]，且待机模式消耗电流低

新款IGBT还包含一个内置的二极管，其正向电压为1.2V（典型值），比GT50JR22降低了大约43%

TB9083FTG这款新产品能够控制和驱动用于驱动3相直流无刷电机的外置N沟道功率MOSFET

新产品使用东芝的模拟器件整合工艺（BiCD），实现0.4Ω（典型值）的导通电阻，比东芝现有产品低50%以上。

源极引脚采用多针结构，与现有的TO-220SM(W)封装相比，封装电阻下降大约30%，从而将XPQR3004PB的漏极额定电流（DC）提高到400A，高出当前产品1.6倍

东芝集团近日宣布将在日本兵库县建设新的功率半导体器件、模块制造设施。项目预计于2025年春季投产，有望将东芝在该基地的车规功率半导体产能增加一倍以上。

在查看来自东芝的光耦时，你通常会发现物料编号的末尾带有后缀“TP”和“SE”（例如TLP291(GB-TP,SE），而这并未体现在规格书中。

新开发的双栅极RC-IEGT结合栅极控制技术，关断和导通损耗分别比传统单栅极结构降低24%和18%，反向恢复损耗降低32%。因此，实际测量值中总开关损耗降低24%，而导通损耗没有任何增加。

这次新的合作安排源于两家公司都希望将东芝领先的解决方案推向更广泛的市场/应用中，包括汽车、工业、物联网、运动控制、电信、网络、消费者和白色家电应用。