东芝

新产品均采用表面贴装型HSSOP31封装，与东芝之前的产品相比，表贴面积减小了约63%---这不仅缩小了电机驱动电路板的尺寸，同时也降低了电机高度。

东芝推出两款采用东芝新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。

TPH3R10AQM具有业界领先的3.1mΩ最大漏极-源极导通电阻，比东芝目前100V产品“TPH3R70APL”低16%[

新产品M3H组将东芝现有产品M3H组的代码闪存容量从512KB（部分为256KB或384KB）扩展至1MB，RAM容量从66KB[2]扩展至130KB。

今天推出的这四款产品采用极为通用的小型HTSSOP28封装，其表贴面积比东芝当前产品TB67S109AFNG使用的HTSSOP48封装大约小39%

该产品通过提高红外LED的光输出并优化光电探测器件（光电二极管阵列）的设计，可实现高效的光耦合，也提高了运行速度，将导通时间最大值缩短至0.25ms

“TCR1HF18B”、“TCR1HF33B”和“TCR1HF50B”分别提供1.8V、3.3V和5.0V的输出电压。该系列稳压器可提供高电压、宽输入电压范围及业界最低[1]的待机电流消耗。

东芝推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”，该器件可用于移动设备锂离子（Li-ion）电池组中的电池保护电路

新款ThermoflaggerTM IC与PTC热敏电阻结合使用，可根据温度改变电阻值进行监测。它们可检测放置在热源附近的PTC热敏电阻的电阻值变化，并输出FLAG信号以显示过温

东芝推出新款高速四通道数字隔离器“DCL54xx01”系列，该系列具有100kV/μs（最小值）的高共模瞬态抑制（CMTI）和150Mbps的高速数据速率