​电动汽车

英飞凌推出全新车规级高压IGBT EDT2, 大幅提升电动汽车分立器件逆变器性能

英飞凌推出了采用TO247PLUS封装的全新EDT2 IGBT,该器件符合并超越了车规级半导体分立器件应力测试标准AECQ101,能大幅提升逆变器系统的性能和可靠性。

罗姆第4代SiC MOSFET在电动汽车电控系统中的应用及其优势

该产品用于车载主驱逆变器时,效率更高,与使用IGBT时相比,效率显著提升,因此非常有助于延长电动汽车的续航里程,并减少电池使用量,降低电动汽车的成本。