Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二极管系列,继续扩充宽禁带半导体产品

工业级650V、10A SiC肖特基二极管样品现已开始供货。还将计划推出1200V/6-20A电流范围部件和车规级部件

电路噪声原来是这么回事

电路噪声

对于电子线路中所标称的噪声,可以概括地认为,它是对目的信号以外的所有信号的一个总称。

最初人们把造成收音机这类音响设备所发出噪声的那些电子信号,称为噪声。但是,一些非目的的电子信号对电子线路造成的后果并非都和声音有关,因而,后来人们逐步扩大了噪声概念。

Vishay推出高力密度、高分辨、小型触控反馈执行器——IHPT-1411AF-AB0

可定制器件采用小型两件式结构,工作温度达+105 °C,适用于各种恶劣商用环境

这家半导体公司146岁了,竟然领跑了碳中和!!!

作者:电子创新网张国斌

1875年,大清朝18岁的同治帝去世,年仅四岁的载湉登上帝位,年号光绪。也是在这一年,日本明治时代初期著名发明家,擅长制作机关人偶有“东洋的爱迪生”之称的田中久重也在日本东京也创立了一家工业制造所---田中制造所,1904年在此基础上成立芝浦制作所株式会社。

 

UnitedSiC推出 750V 6mΩ 碳化硅(SiC) FET和9、11、18、23、33、44和60mΩ规格产品

UnitedSiC的UJ4C/SC 750V SiC FET系列现在已经拥有13种器件,同时其优异性能的覆盖范围更广了。该系列的首款产品是业内优异的新6mΩ RDS(on) SiC FET,还包含9、11、18、23、33、44和60mΩ规格产品(图1)。6mΩ产品具有一个新特征,它的短路耐受时间可靠,额定值为5µs(图2)。

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Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二极管系列

工业级650V、10A SiC肖特基二极管样品现已开始供货。还将计划推出1200V/6-20A电流范围部件和车规级部件

Nexperia今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二极管,正式进军高功率碳化硅(SiC)二极管市场。这对于高效功率氮化镓(GaN) FET的可靠供应商Nexperia而言是一项战略性举措,旨在扩展高压宽禁带半导体器件产品范围。

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本文转载自: Murata村田中国

Vishay 235 EDLC-HVR ENYCAP™ 系列电容器荣获AspenCore全球电子成就奖

加固型双电层储能电容器被评为年度高性能无源分立器件

消除VCR电阻电压系数影响,你该怎么做?

文章来源: 得捷电子DigiKey

什么是电阻电压系数?本文就来回答这个问题。