相信各位工程师在日常的电源设计中，当面对ZVS的场景时，经常会有如下的困惑：比如大名鼎鼎的LLC，工作在死区时，MOSFET 寄生二极管续流

SPL S1L90H_3是首批孔径低至110µm的表面贴装边发射激光器，小孔径使应用能够产生窄光束，905nm红外技术针对短脉冲激光雷达应用进行了优化。

PI3DBS16222Q 符合汽车规格，能够以 20Gbps 的速度执行 2x2 差分多任务作业，同时支持USB 3.2 Gen 2、PCI Express 4.0和10GBASE-KR标准。

随着Infineon、ON Semi等与汽车、能源业者合作项目明朗化，将推动2023年整体SiC功率元件市场规模达22.8亿美元，年成长41.4%。

RDS(on)额外降低40%，功率密度提高58倍，适合电信和热插拔计算应用

Matter标准将推动智能家居技术的落地。本文将介绍如何着手打造Matter兼容型解决方案

抖动和相位噪声是晶振的非常重要指标，本文主要从抖动和相位噪声定义及原理出发，阐述其在不同场景下对数字系统、高速串行接口、数据转换器和射频系统的影响。

对于电源电压，DDR SDRAM系统要求三个电源，分别为VDDQ、VTT和VREF。

基于压阻式MEMS原理，打造高精度、低功耗、小尺寸、数字输出等高性能特点，解决高精度微小压力测量难题，可广泛应用于消费电子、智慧工业、医疗健康等领域

750V SiC FET 拥有全球最低的5.4 (mΩ) 的导通阻抗。非常适用于空间极其有限的应用场景，如从几百瓦到千万瓦的交流 / 直流电源以及高达 100A 的固态继电器和断路器。