Power Integrations推出InnoSwitch5离线反激式开关IC
judy -- 周三, 01/31/2024 - 10:54
这款单芯片开关IC采用创新的次级侧控制方式,无需额外使用高成本的专用高压开关即可实现零电压开关(ZVS),效率超过95%。
这款单芯片开关IC采用创新的次级侧控制方式,无需额外使用高成本的专用高压开关即可实现零电压开关(ZVS),效率超过95%。
为什么IGBT和SiC MOSFET短路能力差这么多,这是SiC天生的缺陷吗?今天我们简单分析一下。
与现有技术相比,新产品面积缩小约40%~60%,性能大幅度提升,将于2024年一季度正式量产。
电子产品开发期间经常需要用到旁路电容。图1所示为一个开关稳压器,可以从高电压产生低电压。
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