<p><strong>中国半导体器件型号命名方法</strong><br />
半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：<br />
第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。（2-二极管、3-三极管）<br />
第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。<br />
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。<br />
第四部分：用数字表示序号。<br />
第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。<br />
例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管</p>
<p><img alt="中国半导体器件型号命名方法" data-entity-type="file" data-entity-uuid="5d994703-641a-4309-ae60-8ebfbbf8c471" src="/sites/default/files/inline-images/%E4%B8%AD%E5%9B%BD%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E5%99%A8%E4%BB%B6%E5%9E%8B%E5%8F%B7%E5%91%BD%E5%90%8D%E6%96%B9%E6%B3%95.jpeg" /></p>
<p><strong>日本半导体分立器件型号命名方法</strong><br />
日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：<br />
第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。<br />
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。<br />
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。<br />
第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。<br />
第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。</p>
<p><img alt="日本半导体分立器件型号命名方法" data-entity-type="file" data-entity-uuid="54924eab-23c4-42bc-b225-47172f1a1d61" src="/sites/default/files/inline-images/%E6%97%A5%E6%9C%AC%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E5%88%86%E7%AB%8B%E5%99%A8%E4%BB%B6%E5%9E%8B%E5%8F%B7%E5%91%BD%E5%90%8D%E6%96%B9%E6%B3%95.jpeg" /></p>
<p><strong>美国半导体分立器件型号命名方法</strong><br />
美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：<br />
第一部分：用符号表示器件用途的类型。<br />
第二部分：用数字表示pn结数目。<br />
第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。<br />
第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。<br />
第五部分：用字母表示器件分档。<br />
如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。</p>
<p><img alt="美国半导体分立器件型号命名方法" data-entity-type="file" data-entity-uuid="6696d0c9-2c57-4437-8f1c-5eb03d975c35" src="/sites/default/files/inline-images/%E7%BE%8E%E5%9B%BD%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E5%88%86%E7%AB%8B%E5%99%A8%E4%BB%B6%E5%9E%8B%E5%8F%B7%E5%91%BD%E5%90%8D%E6%96%B9%E6%B3%95_0.jpeg" /></p>
<p><strong>国际电子联合会半导体器件型号命名方法</strong><br />
德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：<br />
第一部分：用字母表示器件使用的材料。<br />
第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。<br />
第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。<br />
第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。</p>
<p> 常见后缀如下：<br />
稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。<br />
整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。<br />
晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。<br />
如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。</p>
<p><img alt="国际电子联合会半导体器件型号命名方法" data-entity-type="file" data-entity-uuid="542057bd-aa78-404f-9858-6a4b93b7c24d" src="/sites/default/files/inline-images/%E5%9B%BD%E9%99%85%E7%94%B5%E5%AD%90%E8%81%94%E5%90%88%E4%BC%9A%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E5%99%A8%E4%BB%B6%E5%9E%8B%E5%8F%B7%E5%91%BD%E5%90%8D%E6%96%B9%E6%B3%95.jpeg" /></p>
<p><strong>欧洲早期半导体分立器件型号命名法</strong><br />
欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。<br />
第一部分：O-表示半导体器件。<br />
第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。<br />
第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。<br />
第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。</p>
<p><img alt="欧洲早期半导体分立器件型号命名法" data-entity-type="file" data-entity-uuid="16ee628f-8bc4-496b-b1b2-ae1ca9200f6f" src="/sites/default/files/inline-images/%E6%AC%A7%E6%B4%B2%E6%97%A9%E6%9C%9F%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E5%88%86%E7%AB%8B%E5%99%A8%E4%BB%B6%E5%9E%8B%E5%8F%B7%E5%91%BD%E5%90%8D%E6%B3%95.jpeg" /></p>
<p>文章来源：<a href="http://mt.sohu.com/20161205/n474974943.shtml">搜狐公众平台</a></p>