当前，第三代半导体产业正加速向大尺寸规模化方向跃迁，8英寸碳化硅是决定国产功率器件未来竞争力的关键赛道。芯塔电子立足自主设计技术，近期完成定制化8英寸碳化硅晶圆量产落地，面向高压功率应用打造定制化器件解决方案，在比导通电阻、良率水平、参数一致性等关键制造指标上形成行业领先优势，为高端客户定制化开发与大批量交付筑牢坚实基础。
本次量产基于XM4.0+工艺平台，采用芯塔电子自研超精细原胞结构设计，在优化高温工况下导通表现的同时，实现器件动态开关特性的同步提升。引入先进W‑plug金属填孔工艺，攻克大尺寸晶圆制造中的金属化工艺难点，为多样化定制化器件方案提供强有力的工艺支撑。
芯塔电子8 英寸碳化硅晶圆
器件击穿电压预留充足安全裕量，晶圆级实测比导通电阻Rsp低至1.8 mΩ・cm²，跻身行业第一梯队，导通性能表现优异，充分彰显自研架构的综合技术实力。相较传统6英寸晶圆方案，8英寸平台单片可产出裸片数量提升86%，借助大尺寸制造优势释放产能空间，为后续优化批量交付的综合成本创造有利条件，适配新能源、工业电力电子等领域大批量定制供货需求。
大尺寸碳化硅量产的核心难点集中在良率管控与器件参数一致性，当前行业多数8 英寸器件量产仍面临良率爬坡、参数离散度偏高的现实挑战。
芯塔电子本次量产实现大于99%的流片良率水平，关键电学参数控制能力处于行业第一梯队。器件阈值电压、体二极管正向压降等核心指标离散性控制表现突出，VSD波动控制在±0.1V区间，VTH标准偏差小于0.1V，从晶圆实测统计数据来看，VTH1、VSD、导通电阻各项指标的标准差均维持在极低水平。优异的参数一致性，保障大批量产出的器件工况表现高度统一，能够充分满足定制化项目对器件稳定性、可复现性的严苛要求。
在能源转型的时代背景下，碳化硅功率器件已经成为电力电子系统效能升级的核心载体，大尺寸工艺能力是国产器件参与高端市场竞争的核心底座。芯塔电子坚持自主创新的技术路线，直面8英寸量产的工艺壁垒，依靠器件结构与制造工艺的双重打磨，实现比导通电阻、良率与一致性的多重领先突破。
本次8英寸碳化硅器件量产落地，是公司在大尺寸定制化功率器件领域的重要实践。未来芯塔电子将持续迭代8英寸工艺平台，深化面向客户的定制化开发能力，不断打磨产品可靠性与交付能力，以高性能国产碳化硅器件助力第三代半导体产业高质量发展，为新型电力系统构建和全社会绿色低碳转型贡献产业力量。
文章来源：芯塔电子