110 nm BCD-on-SOI工艺，解锁下一代医疗超声收发芯片全新方案

四大核心优势

专为下一代超声探头打造的紧凑尺寸

– 标准单元密度达到180 nm 工艺的2倍，可集成更多数字处理电路

– 更小线宽，缩小隔离间距，使芯片面积大幅缩减

– 轻松实现紧凑、高通道数的 IC 方案，完美适配便携式超声和 ICE（心腔内超声）系统

真正的 SOI 隔离技术（DTI）

– 彻底杜绝闩锁效应，抑制衬底耦合噪声

– 发射/接收通路稳健集成，串扰极低

高集成度混合信号平台

– 单芯片集成高压驱动器、低噪声模拟前端和高密度数字逻辑

– 简化系统架构，降低 BOM 成本

优化高压与信号性能

– 高压脉冲器效率更高，器件性能全面提升

– 接收通路具备出色信号完整性，满足高动态范围需求

借助110 nm BCD-on-SOI 工艺，IC 设计人员可打造发射接收一体化与数字波束成形 SoC，芯片尺寸却大幅缩减。这将加速小型化、高性能医疗超声系统落地普及。